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  • 替代12N60場效應管在高壓H橋PWM馬達驅動中使用的12Amos管
    • 發(fā)布時間:2020-10-23 18:17:50
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    替代12N60場效應管在高壓H橋PWM馬達驅動中使用的12Amos管
    電子工程師都知道電機驅動采用N溝道MOSFET構建H橋驅動電路,而H 橋是一個典型的直流電機控制電路,它的電路外形酷似字母 H,故得名叫“H 橋”。由命名即可可知,MOS管對于高壓H橋PWM馬達驅動意味著是其“生命”,目前這款產(chǎn)品常會用FQP12N60型號參數(shù)來應用。
    12N60場效應管
    由于FQP12N60是一款國外mos管型號,在全球化形勢不明朗的商業(yè)狀態(tài)下,各個電子廠家均在強化國內的器件供應商庫,建立國內優(yōu)質的MOS管產(chǎn)品供應商也是高壓H橋PWM馬達驅動廠家必要的事情。在國內場效應管市場中,飛虹的FHP12N60型號N溝道增強型高壓功率MOS場效應管即可跟FQP12N60型號參數(shù)進行對標。
    12N60場效應管
    目前市面上除了常見的FQP12N60型號會應用在高壓H橋PWM馬達驅動上外,還有TK12A60U的MOS管在應用,如果說要建立國內優(yōu)質的供應商則更推薦使用烜芯微的型號:12N60,高耐壓、質量好。
    這款12N60除廣泛應用于高壓H橋PMW馬達驅動,還常用于AC-DC開關電源、DC-DC電源轉換器場景中,為N溝道增強型高壓功率MOS場效應管,在使用方面是不僅能匹配型號為FQP12N60的國外場效應管,還能代用TK12A60U型號的場效應管。
    這款12N60的特點是12.0A, 600V, RDS(on) = Ω(max) @VGS = 10 V低電荷、低反向傳輸電容開關速度快。
    12N60的主要封裝形式是TO-220/TO-220F,腳位排列位GDS。這款產(chǎn)品參數(shù):Vgs(±V):30;VTH(V):2-4;ID(A):12;BVdss(V):600。
    12N60場效應管
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