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  • NMOS開關電路測試圖文介紹
    • 發布時間:2022-10-17 17:16:26
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    NMOS開關電路測試圖文介紹
    以NMOS為例,測試NMOS作為開關的電路設計。試驗用的NOMS為RU75N08,其輸出特性曲線為:
    NMOS 電路 測試
    從輸出特性曲線可以看出,只要Vgs大于截止電壓4.5V,DS就可以導通了。測試時直接使Vgs=+12V,Vds=+48V,負載電流最大可達到50A。
    為了方便單片機控制Vgs,可加一個三極管進行電壓控制,加一個光耦進行電氣隔離,通過單片機IO口電平高低來控制NOMS的通斷。
    測試電路如下:
    NMOS 電路 測試
    IN接單片機IO口,IN為高電平時,發光二極體通過電流而發光,光敏元件受到光照后產生電流,光耦的NPN導通,PNP三極管Vb拉低,PNP導通,Vgs > 4.5V,NMOS導通,負載工作;
    IN為低電壓時,光耦不工作,PNP三極管Ve=Vb,PNP截止,Vgs = 0V,NMOS截止,負載不工作。
    可以通過控制IN實現NMOS開關作用。
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